Расчетные значения активных составляющих полных входных сопротивлений отличаются от экспериментальных не более чем на 35%. Теоретические значения реактивных составляющих полного входного сопротивления значительно больше экспериментальных, они изменяются от 8 до 23 Ом в рассматриваемом диапазоне частот. Качественно теоретическая зависимость имеет такой же вид, как и экспериментальная.

В отличие от этого, теоретическая зависимость не совпадает с экспериментальной даже качественно. Таким образом, проведенный анализ показал, что с помощью предлагаемой методики не все параметры транзистора могут быть рассчитаны с необходимой для проектирования точностью.

Отмечая этот недостаток, одновременно акцентируем внимание и на достоинстве рассматриваемой приближенной методики. Реализованная на ее основе ФОРТРАН программа позволяет проводить расчеты всех параметров транзистора в одной частотной точке за 2-3 с на ЭВМ ЕС-1020, что удовлетворяет требованиям по быстродействию, предъявляемым к алгоритмам анализа частотных характеристик.

Хорошие показатели не только по быстродействию, но и по точности вычислений могут быть получены при идентификации параметров ЭСТ. Рассмотрим одну из возможных методик решения задачи идентификации ЭСТ, цель которой - определение вектора параметров эквивалентной схемы, обеспечивающего в заданном диапазоне частот минимальное отклонение расчетных показателей качества транзистора от экспериментальных.